従来の磁気メモリは、情報の書き込みに際する消費電力が大きいことが課題とされてきました。
これに対し、TL-RAM™は、トポロジカル物質が発生させる物理効果の1つである異常ホール効果により、低消費電力メモリ実現への大きな可能性を秘めています。
また、従来の磁気メモリが持っている不揮発性（時間の経過で記憶情報が消失しない）や、環境耐性の高さ（放射線下でも壊れない、情報が消失しない）といった特徴は維持し、耐久性にも優れています。